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| N.º art.: 3318E-2643818 N.º fabricante: RD3P200SNTL1 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 20 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = TO-252 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 3 Modo de Canal = Mejora Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 20 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 100 V | Tipo de Encapsulado: | TO-252 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 3 | Modo de Canal: | Mejora | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Si |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2643818, Semiconductores, Semiconductores Discretos, ROHM, RD3P200SNTL1 |
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