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| N.º art.: 3318E-2655435 N.º fabricante: VS100VLNVWMTFTR EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Dirección = Unidireccional Tensión Residual Máxima = 162V Tensión Mínima de Ruptura = 114V Tipo de Montaje = Montaje superficial Tipo de Encapsulado = PMDE Conteo de Pines = 2 Disipación de Potencia de Pulso de Pico = 200W Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Configuración de diodo: | Simple | Tipo de Dirección: | Unidireccional | Tensión Residual Máxima: | 162V | Tensión Mínima de Ruptura: | 114V | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Encapsulado: | PMDE | Conteo de Pines: | 2 | Disipación de Potencia de Pulso de Pico: | 200W | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2655435, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Diodos TVS, ROHM, VS100VLNVWMTFTR |
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