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| N.º art.: 3318E-2688296 N.º fabricante: SIHG085N60EF-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 34 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = TO-247AC Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Modo de Canal = Mejora Número de Elementos por Chip = 2 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 34 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247AC | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Modo de Canal: | Mejora | Número de Elementos por Chip: | 2 | Material del transistor: | Silicio |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2688296, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHG085N60EFGE3 |
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