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| N.º art.: 3318E-2688301 N.º fabricante: SIHH085N60EF-T1GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 30 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 8 x 8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 4 Modo de Canal = Mejora Número de Elementos por Chip = 2 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 30 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | PowerPAK 8 x 8 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 4 | Modo de Canal: | Mejora | Número de Elementos por Chip: | 2 | Material del transistor: | Silicio |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2688301, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHH085N60EFT1GE3 |
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