| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-2688305 N.º fabricante: SIHK045N60EF-T1GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 47 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 650 V Tipo de Encapsulado = PowerPAK 10 x 12 Tipo de Montaje = Montaje en PCB Conteo de Pines = 8 Modo de Canal = Mejora Número de Elementos por Chip = 2 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 47 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | PowerPAK 10 x 12 | Tipo de Montaje: | Montaje en PCB | Conteo de Pines: | 8 | Modo de Canal: | Mejora | Número de Elementos por Chip: | 2 | Material del transistor: | Silicio |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2688305, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHK045N60EFT1GE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |