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IGBT, IGB20N65S5ATMA1, N-Canal, 20 A, 650 V, TO-263, 3-Pines 1


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2732956
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IGB20N65S5ATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 20 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = ±20 V, ±30V
Disipación de Potencia Máxima = 125 W
Tipo de Encapsulado = TO-263
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal = N
Conteo de Pines = 3
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
20 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
650 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
±20 V, ±30V
Disipación de Potencia Máxima:
125 W
Número de transistores:
1
Tipo de Encapsulado:
TO-263
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Tipo de Canal:
N
Conteo de Pines:
3
Otros conceptos de búsqueda: 2732956, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, IGB20N65S5ATMA1
Resumen de condiciones1
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Precio
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