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MOSFET Infineon IPT012N06NATMA1, VDSS 60 V, ID 313 A, PG-HSOF-8 de 8 pines


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2735352
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IPT012N06NATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 313 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 60 V
Tipo de Encapsulado = PG-HSOF-8
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Modo de Canal = Mejora
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
313 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
60 V
Tipo de Encapsulado:
PG-HSOF-8
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: 2735352, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IPT012N06NATMA1
Resumen de condiciones1
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€ 3,871*
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