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IGBT, IKB20N60H3ATMA1, 40 A, 600 V, PG-TO263-3, 3-Pines 1


Cantidad:  unidades  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-2737447
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IKB20N60H3ATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
transistor de potencia
Corriente Máxima Continua del Colector = 40 A
Tensión Máxima Colector-Emisor = 600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor = +/-20V
Disipación de Potencia Máxima = 170 W
Tipo de Encapsulado = PG-TO263-3
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Más información:
Corriente Máxima Continua del Colector:
40 A
Tensión Máxima Colector-Emisor:
600 V
Tensión Máxima Puerta-Emisor:
+/-20V
Disipación de Potencia Máxima:
170 W
Número de transistores:
1
Tipo de Encapsulado:
PG-TO263-3
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Otros conceptos de búsqueda: 2737447, Semiconductores, Semiconductores Discretos, IGBT, Infineon, IKB20N60H3ATMA1
Resumen de condiciones1
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Precio
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a partir de 500 unidades
€ 1,04*
€ 1,258
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