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| N.º art.: 3318E-2799909 N.º fabricante: SIHF085N60EF-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 13 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V Tipo de Encapsulado = TO-220 Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante Conteo de Pines = 3 Modo de Canal = Mejora Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 13 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 600 V | Tipo de Encapsulado: | TO-220 | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Modo de Canal: | Mejora | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2799909, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHF085N60EFGE3 |
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