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MOSFET Vishay SIHG155N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 21 A, TO-247AC de 3 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2799912
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIHG155N60EF-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 600 V
Tipo de Encapsulado = TO-247AC
Tipo de Montaje = Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines = 3
Modo de Canal = Mejora
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
21 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
600 V
Tipo de Encapsulado:
TO-247AC
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2799912, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIHG155N60EFGE3
Resumen de condiciones1
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a partir de 100 unidades
€ 5,327*
€ 6,446
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