| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-2799946 N.º fabricante: SIR5112DP-T1-RE3 EAN/GTIN: Sin datos |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Tipo de Canal = N Corriente Máxima Continua de Drenaje = 42,6 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 100 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Canal = Mejora Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 42,6 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 100 V | Tipo de Encapsulado: | SO-8 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Modo de Canal: | Mejora | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2799946, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIR5112DPT1RE3 |
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |