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| N.º art.: 3318E-2799949 N.º fabricante: SIR5211DP-T1-GE3 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Canal = P Corriente Máxima Continua de Drenaje = 105 A Tensión Máxima Drenador-Fuente = 20 V Tipo de Encapsulado = SO-8 Tipo de Montaje = Montaje superficial Conteo de Pines = 8 Modo de Canal = Mejora Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | P | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 105 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 20 V | Tipo de Encapsulado: | SO-8 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Conteo de Pines: | 8 | Modo de Canal: | Mejora | Número de Elementos por Chip: | 1 | Material del transistor: | Silicio |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2799949, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIR5211DPT1GE3 |
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