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MOSFET Vishay SIRS4302DP-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 478 A, SO-8 de 8 pines


Cantidad:  unidades  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-2799963
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SIRS4302DP-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET
Transistor MOSFET
Transistores MOSFET
transistor mosfet
Tipo de Canal = N
Corriente Máxima Continua de Drenaje = 478 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente = 30 V
Tipo de Encapsulado = SO-8
Tipo de Montaje = Montaje superficial
Conteo de Pines = 8
Modo de Canal = Mejora
Número de Elementos por Chip = 1
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
478 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
SO-8
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Modo de Canal:
Mejora
Número de Elementos por Chip:
1
Material del transistor:
Silicio
Otros conceptos de búsqueda: 2799963, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SIRS4302DPT1GE3
Resumen de condiciones1
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a partir de 1000 unidades
€ 2,456*
€ 2,972
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