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| N.º art.: 3318E-2802012 N.º fabricante: SM5S11CAHM3/I EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Dirección = Bidireccional Tensión Residual Máxima = 18.2V Tensión Mínima de Ruptura = 12.2V Tipo de Montaje = Montaje superficial Tipo de Encapsulado = DO-218AB Conteo de Pines = 2 Disipación de Potencia de Pulso de Pico = 3600W Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Configuración de diodo: | Simple | Tipo de Dirección: | Bidireccional | Tensión Residual Máxima: | 18.2V | Tensión Mínima de Ruptura: | 12.2V | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Encapsulado: | DO-218AB | Conteo de Pines: | 2 | Disipación de Potencia de Pulso de Pico: | 3600W | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: 2802012, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Diodos TVS, Vishay, SM5S11CAHM3I |
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