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| N.º art.: 3318E-2802102 N.º fabricante: SM8S26CAHM3/I EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Tipo de Dirección = Bidireccional Tensión Residual Máxima = 42.1V Tensión Mínima de Ruptura = 28.9V Tipo de Montaje = Montaje superficial Tipo de Encapsulado = DO-218AB Conteo de Pines = 2 Disipación de Potencia de Pulso de Pico = 5200W Número de Elementos por Chip = 1 Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Configuración de diodo: | Simple | Tipo de Dirección: | Bidireccional | Tensión Residual Máxima: | 42.1V | Tensión Mínima de Ruptura: | 28.9V | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Tipo de Encapsulado: | DO-218AB | Conteo de Pines: | 2 | Disipación de Potencia de Pulso de Pico: | 5200W | Número de Elementos por Chip: | 1 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Diodo supresor, Diodos supresores, Diodos TVS, Diodos supresores de transitorios de tensión, Diodo supresor de transitorios de tensión, diodo smd, 2802102, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SM8S26CAHM3I |
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