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MOSFET onsemi FDC6303N, VDSS 25 V, ID 680 mA, SOT-23 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado


Cantidad:  unidad  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-3544941
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDC6303N
EAN/GTIN:
     5059042796834
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
FET digitales, Fairchild Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
680 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
25 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
450 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.65V
Disipación de Potencia Máxima:
900 mW
Configuración de transistor:
Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
+8 V
Longitud:
3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
2
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 3544941, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FDC6303N
Resumen de condiciones1
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