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MOSFET onsemi FDC6321C, VDSS 25 V, ID 460 mA, 680 mA, SOT-23 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-3544985
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDC6321C
EAN/GTIN:
     5059042784619
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
FET digitales, Fairchild Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
460 mA, 680 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
25 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
1,1 Ω, 450 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.65V
Disipación de Potencia Máxima:
900 mW
Configuración de transistor:
Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-8 V, +8 V
Longitud:
3mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
2
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 3544985, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FDC6321C
Resumen de condiciones1
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