MOSFET Infineon IRF3315PBF, VDSS 150 V, ID 23 A, TO-220AB de 3 pines, config. Simple

MOSFET de potencia de canal N, 150 V a 600 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.