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MOSFET onsemi FDG8850NZ, VDSS 30 V, ID 750 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-6710362
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FDG8850NZ
EAN/GTIN:
     5059042848328
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N doble PowerTrench®, Fairchild Semiconductor. On Semis PowerTrench® Los MOSFETS son conmutados de potencia optimizados que ofrecen mayor eficiencia del sistema y densidad de potencia. Combinan carga de puerta pequeña, recuperación de retroceso pequeña y un diodo de cuerpo de recuperación de reversa suave para contribuir a la conmutación rápida de la rectificación síncrona en fuentes de alimentación de CA/CC. El rendimiento del diodo de cuerpo suave de los MOSFET PowerTrench® es capaz de eliminar el circuito amortiguador o reemplazar un MOSFET de mayor tensión nominal.
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
750 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-363
Serie:
PowerTrench
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
400 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.65V
Disipación de Potencia Máxima:
360 mW
Configuración de transistor:
Aislado
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-12 V, +12 V
Longitud:
2mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 6710362, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FDG8850NZ
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