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MOSFET onsemi FQB12P20TM, VDSS 200 V, ID 11.5 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
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N.º art.:
     3318E-6710860
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FQB12P20TM
EAN/GTIN:
     5059042846157
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal P de modo de mejora, on Semiconductor. La gama de MOSFET de canal P de on Semiconductors se fabrica con tecnología DMOS de alta densidad celular propia DE ON Semi. Este proceso de muy alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia de encendido para proporcionar un rendimiento robusto y fiable para una conmutación rápida. Características y ventajas:. interruptor de señal pequeña de canal P controlado por tensión Diseño de celdas de alta densidad corriente de saturación alta conmutación superior Gran rendimiento robusto y fiable Tecnología DMOS. Aplicaciones:. Conmutación De Carga Convertidor CC/CC Protección de la batería Control de administración de energía Control del motor de CC
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
11.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
200 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
470 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
3V
Disipación de Potencia Máxima:
3130 mW
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
10.67mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 6710860, Semiconductores, Semiconductores Discretos, onsemi, FQB12P20TM
Resumen de condiciones1
Plazo de entrega
Stock en almacén
Precio
€ 9,05*
1 envase contiene 5 unidades (€ 1,81* por unidad)
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