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MOSFET Vishay SI4190ADY-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 18 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-7879235
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI4190ADY-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040677302
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
100 V
Tipo de Encapsulado:
SOIC
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
2,2 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.5V
Disipación de Potencia Máxima:
6 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Número de Elementos por Chip:
1
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 7879235, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SI4190ADYT1GE3
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Accesorios
Los siguientes accesorios pueden encontrarse en nuestro surtido:
Tipo
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Accesorios
Transformador de corriente EPCOS B828, entrada 20A, ratio: 20:1, dim. 8,13 x 7,11 x 5,08 mm
Epcos
B82801B0205A100
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