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Diodo, RB751S40T1G, 30mA, 40V Barrera Schottky, SOD-523, 2-Pines 370mV


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-7916334
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     RB751S40T1G
EAN/GTIN:
     5059042519747
Términos de búsqueda:
Diodos
Diodo
Diodo SMD
Diodos SMD
Los productos con números de referencia del fabricante con prefijo NSV- , SBR- o S- están indicados para aplicaciones de automoción conformes al estándar AEC-Q101. Diodos De Barrera Schottky De On Semiconductor. Este rectificador de potencia Schottky DE on Semiconductor utiliza el principio de barrera Schottky con un metal de barrera para crear la mejor caída de tensión directa en intercambio de corriente inversa de−. Adecuado para rectificación de alta frecuencia y baja tensión, así como un diodo de protección de polaridad y circulación libre en una amplia gama de aplicaciones de montaje en superficie donde un tamaño y peso más compactos son la clave. Sin Plomo Diseñado Para Un Montaje Automatizado Óptimo De La Placa Protección Contra Tensión Caja Moldeada De Epoxi paquete ligero de 11,7 mg
Más información:
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado:
SOD-523
Corriente Continua Máxima Directa:
30mA
Tensión Repetitiva Inversa de Pico:
40V
Configuración de diodo:
Simple
Tipo de Rectificador:
Diodo Schottky
Tipo de Diodo:
Schottky
Conteo de Pines:
2
Caída de tensión directa máxima:
370mV
Número de Elementos por Chip:
1
Tecnología de diodo:
Barrera Schottky
Transitorios de corriente directa no repetitiva de pico:
500mA
Otros conceptos de búsqueda: Diodo Schottky, Diodos Schottky, Diodo de barrera Schottky, Diodos de barrera Schottky, diodo smd, 7916334, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Diodos Schottky y Rectificadores, onsemi, RB751S40T1G
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