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MOSFET Toshiba TK9J90E, VDSS 900 V, ID 9 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  unidad  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-7965153
Fabricante:
     Toshiba
N.º fabricante:
     TK9J90E
EAN/GTIN:
     5059041655804
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal N, series TK8 y TK9, Toshiba
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
900 V
Tipo de Encapsulado:
TO-3PN
Serie:
TK
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
1,3 Ω
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Disipación de Potencia Máxima:
250 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-30 V, +30 V
Longitud:
15.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+150 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 7965153, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Toshiba, TK9J90E
Resumen de condiciones1
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€ 2,812*
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