MOSFET IXYS IXFN44N100Q3, VDSS 1.000 V, ID 38 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal N, serie IXYS HiperFET™ Q3. Los MOSFET de potencia HiperFET™ de clase Q3 de IXYS son ideales para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura, y ofrecen baja descarga de compuerta con resistencia excepcional. Los dispositivos incorporan un diodo rápido intrínseco y están disponibles en una gran variedad de encapsulados de estándar industrial, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 1.100 V y 70 A. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, cargadores de batería, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc y control de iluminación y temperatura. Diodo rectificador rápido intrínseco Bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta) Baja resistencia de compuerta intrínseca Encapsulados estándar del sector Baja inductancia de encapsulado Alta densidad de potencia