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MOSFET Vishay SQ2315ES-T1_GE3, VDSS 12 V, ID 3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple


Cantidad:  envase  
Información de productos
Product Image
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N.º art.:
     3318E-8193901
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SQ2315ES-T1_GE3
EAN/GTIN:
     5059040642164
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
12 V
Tipo de Encapsulado:
SOT-23
Serie:
SQ Rugged
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
92 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima:
0.45V
Disipación de Potencia Máxima:
2 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-8 V, +8 V
Longitud:
3.04mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, 8193901, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Vishay, SQ2315EST1_GE3
Resumen de condiciones1
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