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MOSFET Infineon IRF9310TRPBF, VDSS 30 V, ID 20 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple


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Información de productos
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N.º art.:
     3318E-8273912
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     IRF9310TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043894546
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
30 V
Tipo de Encapsulado:
SOIC
Serie:
HEXFET
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
6,8 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
2.4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
1.3V
Disipación de Potencia Máxima:
2,5 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
5mm
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet de potencia, 8273912, Semiconductores, Semiconductores Discretos, Infineon, IRF9310TRPBF
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