MOSFET Vishay SiHF30N60E-GE3, VDSS 600 V, ID 29 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de canal N, serie E, bajo factor de mérito, Vishay Semiconductor. Los MOSFET de potencia de la serie E de Vishay son transistores de alta tensión con un nivel máximo en resistencia, factor de mérito bajo y una conmutación rápida. Están disponibles en una amplia gama de corrientes nominales. Las aplicaciones típicas incluyen servidores y fuentes de alimentación para telecomunicaciones, iluminación LED, convertidores Flyback, corrección de factor de potencia (PFC) y fuentes de alimentación de modo conmutado (SMPS). Características. Bajo factor de mérito (FOM) RDS(on) x QG Baja capacitancia de entrada (Ciss) Nivel bajo en resistencia (RDS(on)) Carga de compuerta (Qg) ultrabaja Conmutación rápida Menores pérdidas por conmutación y conducción