| ![](/p.gif) |
![](/p.gif) |
| N.º art.: 3318E-9075028 N.º fabricante: IRF540NLPBF EAN/GTIN: 5059043854984 |
| |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema. Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 33 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 100 V | Tipo de Encapsulado: | I2PAK (TO-262) | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 44 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Disipación de Potencia Máxima: | 130 W | Configuración de transistor: | Simple | Tensión Máxima Puerta-Fuente: | -20 V, +20 V | Longitud: | 10.67mm | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +175 °C | Número de Elementos por Chip: | 1 |
|
| ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
| |