N.º art.: 3318E-9114864
N.º fabricante: IPB072N15N3GATMA1
EAN/GTIN: 5059043256559
MOSFET de potencia Infineon OptiMOS™3, 100 V y superior
Más información:
Tipo de Canal:
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
150 V
Tipo de Encapsulado:
D2PAK (TO-263)
Serie:
OptiMOS™ 3
Tipo de Montaje:
Montaje superficial
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
7,7 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
300 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
10.31mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento:
+175 °C
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
transistor smd ,
9114864 ,
Semiconductores ,
Semiconductores Discretos ,
Infineon ,
IPB072N15N3GATMA1
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