MOSFET IXYS IXFA22N65X2, VDSS 650 V, ID 22 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiPerFET™ serie X2. El MOSFET IXYS HiPerFET™ serie X2 ofrece una baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta, menor que en las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, se reducen las pérdidas y aumenta la eficiencia operativa. Estos dispositivos incorporan un diodo intrínseco de alta velocidad y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en muchos tipos estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares, y control de iluminación y temperatura. Muy bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta) Diodo rectificador rápido intrínseco Baja resistencia de compuerta intrínseca Baja inductancia de encapsulado Encapsulados estándar del sector