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| N.º art.: 3318E-9171467 N.º fabricante: IXFH34N65X2 EAN/GTIN: 5059041037525 |
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![](/p.gif) | MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiPerFET™ serie X2. El MOSFET IXYS HiPerFET™ serie X2 ofrece una baja resistencia en funcionamiento y carga de compuerta, menor que en las generaciones anteriores de MOSFET de potencia. En consecuencia, se reducen las pérdidas y aumenta la eficiencia operativa. Estos dispositivos incorporan un diodo intrínseco de alta velocidad y son adecuados para aplicaciones de modo resonante y conmutación dura. Los MOSFET de potencia de la clase X2 están disponibles en muchos tipos estándar del sector, incluidos los tipos aislados, con valores nominales de hasta 120 A a 650 V. Las aplicaciones típicas incluyen convertidores dc-dc, unidades motrices ac y dc, fuentes de alimentación de modo conmutado y modo resonante, choppers dc, inversores solares, y control de iluminación y temperatura. Muy bajo nivel de RDS(on) y QG (carga de compuerta) Diodo rectificador rápido intrínseco Baja resistencia de compuerta intrínseca Baja inductancia de encapsulado Encapsulados estándar del sector Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 34 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 650 V | Tipo de Encapsulado: | TO-247 | Serie: | HiperFET, X2-Class | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 100 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 5V | Tensión de umbral de puerta mínima: | 2.7V | Disipación de Potencia Máxima: | 540 W | Configuración de transistor: | Simple | Tensión Máxima Puerta-Fuente: | -30 V, +30 V | Longitud: | 16.24mm |
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