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| N.º art.:
3318E-9190903 N.º fabricante:
TEMT1020 EAN/GTIN:
5059040658608 |
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| Fototransistores serie TEMT1000. Esta familia de fototransistores NPN de silicio, de Vishay Semiconductor, son encapsulados subminiatura de montaje en superficie (SMD). Tienen un encapsulado de plástico negro con diferentes opciones de cable, incluidos: con forma de ala de gaviota (GW), con forma de ala de gaviota invertida (RGW), de horquilla y cables axiales. Las carcasas negras dotan a los fototransistores TEMT1000 de un filtro de bloqueo de luz diurna. Las aplicaciones adecuadas para estos fototransistores incluyen: codificadores, contadores, fotointerruptores, detectores de IR para uso diurno y su uso como detectores en circuitos de control y accionamiento electrónicos.. Características de la serie TEMT1000: TEMT1000, TEMT1020, TEMT1030 y TEMT1040 Encapsulado subminiatura Montaje en superficie (SMD) Carcasa de plástico negro Gran variedad de tipos de cable Alta sensibilidad radiante Tiempos de respuesta rápidos Ángulo de media intensidad: 15 ° Más información: | | Espectro(s) Detectado(s): | Infrarrojo | Tiempo de Bajada Típico: | 2.3µs | Tiempo de Subida Típico: | 2µs | Número de Canales: | 1 | Corriente de Luz Máxima: | 7000µA | Corriente de Oscuridad Máxima: | 200nA | Ángulo de Sensibilidad Media: | 30 ° | Polaridad: | NPN | Número de Pines: | 2 | Tipo de Montaje: | Montaje superficial | Encapsulado: | Subminiaturiza | Dimensiones: | 2.5 x 2 x 2.7mm | Corriente del Colector: | 50mA | Máxima Longitud de Onda Detectada: | 1000nm | Mínima Longitud de Onda Detectada: | 730nm |
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