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| N.º art.: 3318E-9194898 N.º fabricante: IRLZ34NPBF EAN/GTIN: 5059043003429 |
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![](/p.gif) | MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema. Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Tipo de Canal: | N | Corriente Máxima Continua de Drenaje: | 30 A | Tensión Máxima Drenador-Fuente: | 55 V | Tipo de Encapsulado: | TO-220AB | Serie: | HEXFET | Tipo de Montaje: | Montaje en orificio pasante | Conteo de Pines: | 3 | Resistencia Máxima Drenador-Fuente: | 35 mΩ | Modo de Canal: | Mejora | Tensión de umbral de puerta máxima: | 2V | Tensión de umbral de puerta mínima: | 1V | Disipación de Potencia Máxima: | 68 W | Configuración de transistor: | Simple | Tensión Máxima Puerta-Fuente: | -16 V, +16 V | Temperatura Máxima de Funcionamiento: | +175 °C |
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