Información de productos:
icecat Almacén 3318
N.º art.: 3318E-9194924
N.º fabricante: IRF5305PBF
EAN/GTIN: 5059043007540
MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Más información:
Tipo de Canal:
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje:
31 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente:
55 V
Tipo de Encapsulado:
TO-220AB
Serie:
HEXFET
Tipo de Montaje:
Montaje en orificio pasante
Conteo de Pines:
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente:
60 mΩ
Modo de Canal:
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima:
4V
Tensión de umbral de puerta mínima:
2V
Disipación de Potencia Máxima:
110 W
Configuración de transistor:
Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente:
-20 V, +20 V
Longitud:
10.54mm
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