MOSFET Infineon IRFU5305PBF, VDSS 55 V, ID 31 A, IPAK (TO-251) de 3 pines, , config. Simple

MOSFET de potencia de canal P, de 40 V a 55 V, Infineon. La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.