N.º art.: 6368-1300099
N.º fabricante: IXFR36N60P
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.2 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 20 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor ISOPLUS-247 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 600 V Disipación de Potencia 208 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET ,
Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
Transistores ,
Transistor ,
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Semiconductores ,
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IXYS SEMICONDUCTOR ,
IXFR36N60P ,
1300099 ,
130-0099
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