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IXYS SEMICONDUCTOR IXTH36N50P MOSFET, N, TO-247


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-1427355
Fabricante:
     IXYS
N.º fabricante:
     IXTH36N50P
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.17 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 36 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TO-247 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 500 V Disipación de Potencia 540 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 5 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (17-Jan-2023)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, IXYS SEMICONDUCTOR, IXTH36N50P, 1427355, 142-7355
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