N.º art.: 6368-1467977
N.º fabricante: FDN352AP
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.18 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 1.3 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SuperSOT Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 500 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
ONSEMI ,
FDN352AP ,
1467977 ,
146-7977
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