N.º art.: 6368-1611233
N.º fabricante: FDG6303N
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 25 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P - Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P - Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 500 mA Tipo de Canal Canal N Disipación de Potencia Canal N 300 mW Disipación de Potencia Canal P - Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SC-70 Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET ,
Transistor MOSFET ,
Transistores MOSFET ,
Transistor SMD ,
Transistores SMD ,
Transistores ,
Transistor ,
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Discretos ,
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Semiconductores ,
Transistors ,
ONSEMI ,
FDG6303N ,
1611233 ,
161-1233
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