N.º art.: 6368-1611390
N.º fabricante: FDC6318P
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N - Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 2.5 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 12 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N - Tipo de Canal Canal P Disipación de Potencia Canal N - Disipación de Potencia Canal P 960 mW Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SuperSOT Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
Double ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Transistors ,
ONSEMI ,
FDC6318P ,
1611390 ,
161-1390
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