N.º art.: 6368-1653689
N.º fabricante: SUP85N10-10-E3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.012 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 3 Pines Montaje de Transistor Orificio Pasante Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 85 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 175 °C Encapsulado del Transistor TO-220 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 250 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) Lead (10-Jun-2022)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
Transistores ,
Transistor ,
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Discretos ,
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Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
SUP85N10-10-E3 ,
1653689 ,
165-3689
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