N.º art.: 6368-1700668
N.º fabricante: FDS6679AZ
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0077 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 13 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOIC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 2.5 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1.9 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
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Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
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Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
ONSEMI ,
FDS6679AZ ,
1700668 ,
170-0668
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