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INFINEON BSZ058N03LSGATMA1 Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia


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Información de productos
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N.º art.:
     6368-1775497
Fabricante:
     Infineon
N.º fabricante:
     BSZ058N03LSGATMA1
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
MOSFET de potencia
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0048 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 40 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor PG-TSDSON Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 45 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, mosfet de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, INFINEON, BSZ058N03LSGATMA1, 1775497, 177-5497
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