|  |
| |
| N.º art.:
6368-1858959 N.º fabricante:
SI4490DY-T1-GE3 EAN/GTIN:
Sin datos |
| |
|
| | |
| Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.065 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 2.85 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOIC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 200 V Disipación de Potencia 3.1 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022) Más información: | | Customs tariff number: | 85412900 |
|
| | |
| | | |
| Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, VISHAY, SI4490DY-T1-GE3, 1858959, 185-8959 |
| | |
| |