NEXPERIA PMN48XP,115 MOSFET, P CH, 20V, 4.1A, SOT457

Tensión de Prueba Rds(on) 4.5 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.048 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 4.1 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-457 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 20 V Disipación de Potencia 530 mW Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 1 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (27-Jun-2024)