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VISHAY SI3590DV-T1-GE3 MOSFET, NP CH, 30V, W DIODE, TSOP6


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6368-2056715
Fabricante:
     Vishay
N.º fabricante:
     SI3590DV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Diodos
Diodo
Transistor de potencia
Transistores de potencia
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 2.5 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 2.5 A Tipo de Canal Canal complementario N y P Disipación de Potencia Canal N 830 mW Disipación de Potencia Canal P 830 mW Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TSOP Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: MOSFET, Transistor MOSFET, Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, VISHAY, SI3590DV-T1-GE3, 2056715, 205-6715
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