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DIODES INC. DMG6602SVT MOSFET, NP CH, , 30V, 3.4, ATSOT23


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Información de productos
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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N.º art.:
     6368-2061522
Fabricante:
     Diodes
N.º fabricante:
     DMG6602SVT
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 3.4 A Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 30 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 3.4 A Tipo de Canal Canal complementario N y P Disipación de Potencia Canal N 1.12 W Disipación de Potencia Canal P 1.12 W Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor TSOT-26 Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, DIODES INC., DMG6602SVT, 2061522, 206-1522
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