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| N.º art.: 6368-2069553 N.º fabricante: PMDT290UCE,115 EAN/GTIN: Sin datos |
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![](/p.gif) | Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 6 Pines Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal N 800 mA Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N 20 V Corriente de Drenaje Continua Id Canal P 800 mA Gama de Producto - Tipo de Canal Canal complementario N y P Disipación de Potencia Canal N 330 mW Disipación de Potencia Canal P 330 mW Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-666 Calificación - Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024) Más información: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Customs tariff number: | 85412900 |
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![](/p.gif) | | ![](/p.gif) | ![](/p.gif) |
![](/p.gif) | Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, transistor de potencia, Discretos, Double, MOSFETs, Semiconductores, Transistors, NEXPERIA, PMDT290UCE,115, 2069553, 206-9553 |
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