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ONSEMI FQT7N10LTF MOSFET, N CH, 100V, 1.7A, SOT-223


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N.º art.:
     6368-2101412
Fabricante:
     onsemi
N.º fabricante:
     FQT7N10LTF
EAN/GTIN:
     Sin datos
Términos de búsqueda:
Transistor de potencia
Transistores de potencia
MOSFET
Transistor MOSFET
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.275 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) - Número de Pines 4 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal N Corriente de Drenaje Continua Id 1.7 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOT-223 Tensión Drenador-Fuente (Vds) 100 V Disipación de Potencia 2 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 2 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (23-Jan-2024)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET, Transistor SMD, Transistores SMD, Transistores, Transistor, transistor smd, Discretos, MOSFETs, Semiconductores, Simple, Transistors, ONSEMI, FQT7N10LTF, 2101412, 210-1412
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