N.º art.: 6368-2101446
N.º fabricante: SI4435DDY-T1-E3
EAN/GTIN: Sin datos
Tensión de Prueba Rds(on) 10 V Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor 0.0195 ohm Gama de Producto - Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL) MSL 1 - Ilimitado Número de Pines 8 Pines Montaje de Transistor Montaje Superficial Tipo de Canal Canal P Corriente de Drenaje Continua Id 11.4 A Temperatura de Funcionamiento Máx. 150 °C Encapsulado del Transistor SOIC Tensión Drenador-Fuente (Vds) 30 V Disipación de Potencia 5 W Calificación - Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente 3 V Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC) No SVHC (10-Jun-2022)
Más información:
Customs tariff number:
85412900
Otros conceptos de búsqueda: Transistores MOSFET ,
transistor de potencia ,
Discretos ,
MOSFETs ,
Semiconductores ,
Simple ,
Transistors ,
VISHAY ,
SI4435DDY-T1-E3 ,
2101446 ,
210-1446
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